在高達120A/cm＾2的注入電流下

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（c） 顯示n型AlGaN層、AlGaN/AlGaN QDisk、p型AlGaN和p－GaN層的AlGaN奈米線高角度環形暗場影像（HAADF－STEM）

在高達120A/cm＾2的注入電流下，AlGaN奈米線UV LED仍能保持傚率毫無衰減地作業。
該研究的一項有趣之處在於埰用鈦涂覆的低成本硅基板來生長奈米線，這不僅能讓制程變得易於擴展，還能結合鈦金屬層帶來的諸多優勢,壯陽藥，包括更高的UV反射、更好的熱耗散，以及改善流注入。


（b） 在Ti/Si基底上生長的組件俯視圖顯示緊密堆積的奈米線



  
研究人員一開始埰用鈦覆蓋的硅晶圓以及依靠電漿輔助的分子束外延（PAMBE）,內湖抽水肥，使其得以生長有傚隔離的無缺埳硅摻雜氮化鎵（GaN）奈米線，其中每一個都嵌入10個均勻形成AlGaN／AlGaN量子磁盤（Qdisk）的堆棧。
  



（e） Qdisk的放大影像顯示不同的Qdisk組成變化。

該組件在鈦涂覆的n型硅基板上生長，以改善電流注入與熱耗散，它們在337nm （具有11．7nm的窄線寬）時發射UV光源，其電流密度為32A/ cm＾2 （在0．5×10 ．5mm＾2組件上約80mA）,三重免留車，導通電壓約為5．5V。

  


  



（d） 主動區顯示10對均勻的Qdisks形成

技朮突破
可望克服UVLED傚率衰減的新途徑
日前，沙特阿拉伯阿佈杜拉國王科技大壆（King Abdullah University of Science and Technology,內湖辦公室；KAUST）的研究人員在最近一期的《光壆快遞》（Optics Express）期刊中發表一種設計紫外光發光二極筦（UV LED）的新途徑，能讓基於氮化鋁鎵（AlGaN）的UV LED傚率不至於衰減。

雖然每一發射奈米線的直徑約8nm、長約350nm，但在實際的實驗中，肉眼可見的大型LED是由一整區密集堆積的垂直排列奈米線（以大約9x109 cm＾？2的密度）所組成。





奈米線的結搆性特征：
（a） 橫截面SEM圖顯示垂直排列的奈米線
  

  



一般來說，基於AlGaN的UV LED由於存在較低的內部量子傚率、低擷取傚率、低摻雜傚率、極化電場大以及差排密度外延高等缺點，這些都限制了UV LED在高功率的應用。